Cooperazione EBV Elektronik – Infineon

L’accordo fra EBV Elektronik e Infineon è finalizzato all'implementazione di dispositivi di alimentazione ad alta efficienza energetica basati su tecnologia CoolSiCTM

  • Luglio 7, 2021
  • 50 views
  • Scheda di valutazione entry-level Infineon
    Scheda di valutazione entry-level Infineon

EBV ELEKTRONIK, società Avnet, e Infineon stanno collaborando sulla tecnologia CoolSiC™. Ideata da Infineon, questa tecnologia basata sul carburo di silicio offre una serie di vantaggi fondamentali agli ingegneri che progettano sistemi di alimentazione avanzati rivolti a un'ampia selezione di settori e applicazioni. Infineon ed EBV collaboreranno nell’anno a venire e oltre per accelerare l'implementazione di dispositivi di alimentazione ad alta efficienza energetica basati su tecnologia CoolSiCTM.

Tecnologia CoolSiCTM

A livello globale si registra una forte domanda di sistemi di conversione dell'energia più efficienti, più piccoli e più convenienti, in particolare per quanto riguarda il dinamico mercato dei veicoli elettrici. Rispetto al silicio tradizionale, il carburo di silicio offre molti importanti vantaggi, per esempio una tensione di funzionamento più elevata, range di temperatura di esercizio più ampi e frequenze di commutazione più veloci. La tecnologia CoolSiCTM di Infineon si basa sui vantaggi tipici del materiale semiconduttore per offrire livelli di efficienza e affidabilità superiori nel contesto di un’ampia varietà di applicazioni, come sistemi di ricarica per batterie, inverter fotovoltaici, azionamenti per motori, accumulatori di energia e alimentatori. Il portafoglio CoolSiCTM spazia dai diodi ai MOSFET discreti fino ai moduli ibridi e moduli completamente SiC.

Dispositivi di alimentazione ad alta efficienza energetica

Nell'ambito della cooperazione tra le due società, è disponibile esclusivamente da Avnet ed EBV una scheda di valutazione entry-level (EVAL-1ED3122MC12H-SiC) progettata da Infineon per fornire a ingegneri e sviluppatori un semplice strumento per verificare rapidamente le possibilità dell'avanzata tecnologia CoolSiCTM. La scheda può essere utilizzata per valutare le prestazioni dei MOSFET CoolSiCTM da 650V o 1200V, i quali potranno essere saldati in base all'applicazione dell'utente. Nell'ambito di questa cooperazione sono disponibili programmi di formazione per ingegneri e progettisti di sistemi di alimentazione.

Le dotazioni principali della scheda Infineon includono una struttura di MOSFET CoolSiCTM configurati a semiponte e pilotati da gate-driver single-channel da 10A galvanicamente isolati della famiglia 1ED-X3 e circuiti di alimentazione isolati che erogano le tensioni richieste.