Relè con tensioni di carico di 3.300V e 1.800V

Omron lancia una proposta per una commutazione robusta e affidabile

  • Le soluzioni resistono alle alte temperature di esercizio e alle sollecitazioni termiche
    Le soluzioni resistono alle alte temperature di esercizio e alle sollecitazioni termiche

I relè SiC-MOSFET G3VH con tensioni di carico di 3.300V e 1.800V, progettati da Omron, offrono i vantaggi della commutazione di potenza solid-state con tensioni di bus e di batteria fino a 1.000V e oltre.

Efficienza energetica

I valori nominali elevati consentono ai relè Omron una commutazione robusta e affidabile, offrendo ai progettisti di sistemi la possibilità di adottare tensioni più elevate per massimizzare l'efficienza energetica e utilizzare cavi e collegamenti più piccoli e leggeri.

Dimensioni ridotte

Pur essendo in grado di funzionare al di sopra dei limiti massimi di tensione previsti per i normali relè al silicio, i dispositivi G3VH Omron garantiscono una maggiore durata e hanno dimensioni più ridotte rispetto ai relè reed convenzionali.

Utilizzo

Le soluzioni Omron sono tipicamente utilizzate negli inverter, nei drive industriali e nell’automazione, nei generatori di energia solare ed eolica, nei sistemi di energy-storage per il rilevamento del guasto a terra (ESS) e nelle apparecchiature di test automatizzate (ATE) per semiconduttori di potenza ad alta tensione e a banda larga.

Tensioni di funzionamento

I relè Omron sono dotati di MOSFET in carburo di silicio (SiC) back-to-back con gate driver isolati otticamente, questi relè gestiscono facilmente tensioni di funzionamento elevate all’interno di un compatto contenitore DIP-6 (Dual Inline Package a 6 pin).

Tempo di accesione

Grazie alle capacità interne intrinsecamente basse che garantiscono una commutazione pulita ed efficiente anche a velocità elevate, le soluzioni Omron hanno un tempo di accensione di 1ms o 2ms e possono spegnersi in 0,2ms.

Tolleranza intrinseca

I dispositivi della serie G3VH Omron consentono una risposta rapida ai comandi di sicurezza del sistema, oltre a garantire tempi (di ciclo) di test più brevi nelle applicazioni ATE. L'elevata tolleranza intrinseca del SiC al dV/dt assicura una commutazione stabile anche in condizioni difficili. Inoltre i MOSFET resistono alle alte temperature di esercizio e alle sollecitazioni termiche, garantendo una lunga durata in tutti gli ambienti.

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